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IGBT模块

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源头工厂
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  • 型号/规格?/span>

    L6574D013TR

  • 品牌/商标?/span>

    ST(意法半导体?/p>

  • 环保类别?/span>

    普通型

  • 封装?/span>

    SOP-16

  • 型号/规格?/span>

    KGF75N60KDB-U/P

  • 品牌/商标?/span>

    KEC

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 包装方式?/span>

    管带包装

  • 封装?/span>

    TO-247

  • 型号/规格?/span>

    CM400DY-24A

  • 品牌/商标?/span>

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 批次?/span>

    18+

  • 封装?/span>

    MODULE

  • 型号/规格?/span>

    SKM400GA12T4

  • 品牌/商标?/span>

    SEMIKRON(西门康?/p>

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    2MBI50F-050

  • 品牌/商标?/span>

    FUJI

  • 环保类别?/span>

    普通型

  • 型号/规格?/span>

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商标?/span>

    Microsemi

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 集电极—发射极最大电?VCEO?/span>

    1.7 kV

  • ?5 C的连续集电极电流?/span>

    75 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • Pd-功率耗散?/span>

    312 W

  • 型号/规格?/span>

    IRGB15B60KD

  • 品牌/商标?/span>

    IR

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 电流?/span>

    15A

  • 电压?/span>

    600V

  • 型号?/span>

    GB15B60KD

  • 厂家?/span>

    IR

  • 型号/规格?/span>

    AP85GT33SW

  • 品牌/商标?/span>

    AP/富鼎

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    MG50Q6ES40

  • 品牌/商标?/span>

    TOSHIBA(东芝)

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 数量?/span>

    220

  • 型号/规格?/span>

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标?/span>

    中兴

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    2SC5242-O

  • 品牌/商标?/span>

    TOSHIBA(东芝)

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 批号?/span>

    18+

  • 数量?/span>

    12500

  • 型号/规格?/span>

    7MBR25SA-120-50

  • 品牌/商标?/span>

    FUJITSU(富士?

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标?/span>

    INFINEON(英飞凌?/p>

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    IKCS12G60DA

  • 品牌/商标?/span>

    INFINEON

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 1?/span>

    1

  • 型号/规格?/span>

    CM75E3U-12H

  • 品牌/商标?/span>

    MITSUBISHI

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

  • 型号/规格?/span>

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标?/span>

    WSS

  • 环保类别?/span>

    无铅环保?/p>

IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较?MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域??所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极?IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压?/font>
  • IGBT模块

IGBT模块技术资?/h2>

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